功率半导体器件（PowerSemiconductorDevice）又称为电力电子器件，是电力电子装置实现电能转换、电路控制的核心器件。主要用途包括变频、整流、变压、功率放大、功率控制等，同时具有节能功效。功率半导体器件广泛应用于移动通讯、消费电子、新能源交通、轨道交通、工业控制、发电与配电等电力、电子领域，涵盖低、中、高各个功率层级。 功率半导体器件种类众多。功率半导体根据载流子类型可分为双极型与单极型功率半导体。双极型功率半导体包括功率二极管、双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor，BJT）、电力晶体管（Giant Transistor，GTR）、晶闸管、绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）等，单极型功率半导体包括功率MOSFET、肖特基势垒功率二极管等。按照材料类型可以分为传统的硅基功率半导体器件以及宽禁带材料功率半导体器件。传统功率半导体器件基于硅基制造，而采用第三代半导体材料（如SiC、GaN）具有宽禁带特性，是新兴的半导体材料。 功率半导体器件：二极管→晶闸管→硅基MOSFET→硅基IGBT。功率二极管发明于20世纪50年代，起初用于工业和电力系统。60-70年代，以半控型晶闸管为代表的功率器件快速发展，晶闸管体积小、明显的节能功效引起广泛重视。80年代，晶闸管的电流容量已达6000安，阻断电压高达6500伏；80年代发展起来的硅基MOSFET工作频率达到兆赫级，同时功率器件正式进入电子应用时代。硅基IGBT的出现实现了功率器件同时具备大功率化（6500V）与高频化（10-100kHz）。二十一世纪前后，将功率器件与集成电路集中在同一个芯片中，功率器件集成化使器件功能趋于完整。