砷化镓（GaAs）是当前最重要、技术成熟度最高的化合物半导体材料之一。GaAs 材料具备禁带宽度大、电子迁移率高的特性，且为直接带隙，发光效率高，是当前光电子领域应用的最主要材料，同时也是重要的微电子材料。根据导电性能的差异，GaAs 材料可分为半绝缘（SI）GaAs 和半导体（SC）GaAs。 射频为当前 GaAs 材料应用的最主要下游。从 2017 年 GaAs 衬底的出货量数据来看，四大主要应用领域中，射频、LED、激光和光伏市场占比分别为 46.52%、42.19%、10.17%和 1.12%，射频和 LED 是 GaAs 衬底应用的最主要市场。 氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的典型代表，相较于前两代半导体材料，禁带宽度更宽，具有更高的临界击穿电场，更大的饱和电子速率和更小的介电常数，能够承受更高的工作电压，适合更高频率，可实现更高的功率密度，同时耐高温、耐腐蚀、抗辐射等性能优异，在多项性能上能够实现对第二代半导体材料（GaAs、InP 等）性能极限的突破。