半导体制造材料是半导体制造过程中所需的材料，包含硅片、光刻胶、光掩膜、溅射靶材、CMP 材料、电子特气、湿化学品、石英等细分子领域。半导体加工分为芯片设计、芯片制造和封装测试三个环节，半导体芯片制造过程中，所有工艺均在硅片衬底上进行，具体工艺包括前期硅片准备、薄膜氧化/沉积、化学机械研磨、光刻、刻蚀或离子注入、去光刻胶等步骤，以上步骤组成一个循环。一般半导体制造需要经过十几至几十次循环才可全部加工完毕，进入下一轮的封装测试环节。 硅片准备：半导体制造过程要求纯度极高的单晶硅，一般硅片准备过程需要经过单晶生长、切片、平坦化及腐蚀等步骤后才可投入使用。此外，部分要求较高的硅片还需进行进一步表面处理，以满足对应特殊性质集成电路的要求。硅片是这一流程中得到的材料，按尺寸可分为 6 英寸、8 英寸、12 英寸硅片等，将作为衬底应用于后续的每一步加工流程。 薄膜氧化/沉积：主要为热氧化法、化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）工艺等。热氧化法为通过氧气对单晶硅表面进行氧化，可生成二氧化硅氧化膜。化学气相沉积是将晶圆（基底）暴露在一种或多种不同的前驱物下，在基底表面发生化学反应产生欲沉积的薄膜。物理气相沉积（PVD）分为热蒸镀、溅镀、和脉冲激光沉积等。其中溅射也称溅镀，是一种物理气相沉积技术，指固体靶"target"中的原子被高能量离子（通常来自等离子体）撞击而离开固体进入气体的物理过程。溅射靶材、电子特气和湿化学品应用于此工艺。所用材料方面，沉积硅薄膜一般使用 SiH4,SiH2Cl2, SiHCl3, SiCl4,H2等气体；沉积 SiO2薄膜一般使用 SiH4,SiH2Cl2, N2O,O2,CO2,Si(OC2H5)4 (TEOS)等气体；沉积 Si3N4薄膜一般使用 SiH4,N2,NH3等气体；沉积硼磷硅玻璃（PSG） 一般使用 SiH4,SiH2Cl2,PH3等气体；CVD 法沉积钨、钛等金属通常分别使用 WF6和 TiCl4等气体；PVD 法沉积金属层通常分别使用铜、铝、钨、钴等溅射靶材。