射频芯片过去几十年经历数代升级。在过去的五十年中，射频（RF）电路经历了快速发展和技术演变，一共经历了四个时期。第一个时期，从 20 世纪 60 年代中期到 20 世纪 70 年代中期，其特点是使用二极管有源器件和波导传输线和谐振器。第二个时期的主要特点是使用了GaAs MESFET 器件，通过连接诸如 GaAs MESFET 和二极管的有源器件来组装电路。第三个时期主要特点在于不断降低 RF /微波固态电路的成本，尺寸和重量，遵循数字 IC 和模拟 IC 一样的路径，GaAs 集成电路的制造技术于 20 世纪 80 年代中期开始出现，单片的 MMIC 集成电路取代当时存在的大部分陶瓷微带混合硬件。第四个时期随着无线应用场景需求的增多，降成本的需求促使基于 Si 工艺的 RFIC取得快速发展，LDMOS 工艺大陆应用于射频领域。现在也有新的变化，随着 5G的高频特性，基于 GaAs 或 GaN 材料的射频芯片正在快速发展。 射频前端由多个核心器件组成。我们正处在无线通信快速发展的时代，一部手机通常包含五个部分：射频部分、基带部分、电源管理、外设、软件，其中射频部分是手机通信系统的核心组件，负责射频收发、频率合成、功率放大等。射频芯片是指将无线电信号通信转换成一定的无线电信号波形，并通过天线谐振发送出去的一个电子元器件，它包括功率放大器（PA：Power Amplifier）、低噪声放大器（LNA：Low Noise Amplifier）、天线开关（Switch）、滤波器（Filter）、双工器(Duplexer 和 Diplexer)等。射频芯片架构包括接收通道和发射通道两大部分。 射频前端芯片应用场景随着通信网络升级不断扩展。射频芯片主要用于无线通信，下游市场主要有通讯基站、手机和物联网设备等。过去十几年的时间，通讯行业经历了从 2G 到 3G，再由 3G 到 4G 的逐步迭代，再从 4G 升级到如今的 5G。更多频段的开发、新技术的引入令高速网络普及，手机也从当年短信电话的功能机转变为更加多元的智能终端，满足即时下载、社交直播、在线游戏等需求。伴随着这种转变，通讯性能成为手机越来越重要的指标。这其中射频前端(RFFE)作为核心组件，其作用更是举足轻重。