功率半导体是电力电子装置实现电能转换、电路控制的核心器件，其主要用途包括变频、整流、变压、功率放大、功率控制等。 早期开发的功率分立器件 二极管、三极管、晶闸管，在结构上都由简单的PN结组成，开关速度慢，常用于低频领域。二极管：仅单向导通，是最常见的功率分立器件；晶闸管：可正向触发导通，具备开关特性；三极管：依靠小电流控制开关通断，有线性放大功能。 目前主流功率器件为MOSFET和IGBT，MOSFET开关频率高，更适用于高频中高压领域（100-1000KHz,20-1200V），IGBT耐压很高，更适用于高压中低频领域（＜100KHz, 600-6500V）。MOSFET具有开关速度快的优点，但高耐压下导通电阻会很高。IGBT作为MOSFET+BJT结构的复合型器件，相比MOSFET：(1)串联结构耐压更高，导通电阻低，(2) 能放大电流，(3)但拖尾电流使其开关频率更低。